Kostengünstige Erfassung der maximalen Ausschaltüberspannung bei Bipolartransistoren mit isolierten Gates bzw. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren

Sprache: German
Offengelegt von: Siemens AG
Autoren: Matthias Neumeister, DE-Erlangen; Dr. Markus Pfeifer, DE-Erlangen